STP8NM60FP Todos los transistores

 

STP8NM60FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP8NM60FP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP
 

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STP8NM60FP Datasheet (PDF)

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 stb8nm60t4 std5nm60-1 std5nm60t4 stp8nm60fp.pdf pdf_icon

STP8NM60FP

STD5NM60STB8NM60 - STP8NM60N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 , 8 A MDmesh Power MOSFETTO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAKFeaturesType VDSS RDS(on) ID Pw31STD5NM60 650 V

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 stb8nm60n std8nm60n-1 stf8nm60n stp8nm60n.pdf pdf_icon

STP8NM60FP

STx8NM60NN-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STB8NM60N 650 V

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STP8NM60FP

STB8NM60DSTP8NM60DN-CHANNEL 600V - 0.9 - 8A - TO-220/D2PAKFast Diode MDmesh Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PTOTSTB8NM60D 600V

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 stp8nm60 std5nm60 stb8nm60.pdf pdf_icon

STP8NM60FP

STD5NM60STB8NM60 - STP8NM60N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 , 8 A MDmesh Power MOSFETTO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAKFeaturesType VDSS RDS(on) ID Pw31STD5NM60 650 V

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History: CS4N90F

 

 
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