STP9235 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP9235
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de STP9235 MOSFET
STP9235 Datasheet (PDF)
stp9235.pdf

STP9235STP9235STP9235STP9235P Channel Enhancement Mode MOSFET- 7.5ADESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONSTP9235 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors areproduced using high cell density, DMOS trench technology. This high density processis especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularlysuited fo
Otros transistores... STP8N80K5 , STP8NK85Z , STP8NM50FP , STP8NM60D , STP8NM60FP , STP8NM60N , STP8NS25FP , STP90N6F6 , 5N50 , STP9435 , STP9437 , STP9527 , STP9547 , STP95N04 , STP9N60M2 , STP9N65M2 , STP9NK50ZFP .
History: IXTH130N20T | SIHFL9014 | AP9938GEO-HF
History: IXTH130N20T | SIHFL9014 | AP9938GEO-HF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMTE6888A | JMTE3003A | JMTE3002B | JMTE068N07A | JMTE060N06A | JMTE035N06D | JMTE035N04A | JMTE025N04D | JMTE018N03A | JMTD3134K | JMTD2N7002KS | JMSL1509PG | JMSL10A13P | JMSL10A13L | JMSL10A13K | JMSL1010PU
Popular searches
c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884