STP9235 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STP9235
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP9235

STP9235 Datasheet (PDF)

..1. Size:322K stansontech
stp9235.pdf

STP9235STP9235STP9235STP9235P Channel Enhancement Mode MOSFET- 7.5ADESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONSTP9235 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors areproduced using high cell density, DMOS trench technology. This high density processis especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularlysuited fo

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