IXFK120N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFK120N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 560 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2200 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
Encapsulados: TO264
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IXFK120N20 datasheet
ixfk110n20 ixfk120n20 ixfn110n20 ixfn120n20.pdf
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ixfx120n20 ixfk120n20.pdf
HiPerFETTM IXFX 120N20 VDSS = 200 V IXFK 120N20 ID25 = 120 A Power MOSFETs RDS(on) = 17 m Single MOSFET Die trr 250 ns Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX) VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 200 V VGS Continuous 20 V (TAB) G VGSM Transient 30 V D I
ixfk120n25p ixfx120n25p.pdf
VDSS = 250 V IXFK 120N25P PolarHTTM HiPerFET ID25 = 120 A IXFX 120N25P Power MOSFET RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 250 V TO-264 (IXFK) VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 250 V VGS Continuous
ixfk120n65x2 ixfx120n65x2.pdf
Advance Technical Information X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650V IXFK120N65X2 Power MOSFET ID25 = 120A IXFX120N65X2 RDS(on) 24m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-264P (IXFK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V D Tab VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V S VGSS
Otros transistores... IXFH9N80 , IXFJ13N50 , IXFJ32N50Q , IXFJ40N30 , IXFK100N10 , IXFK100N25 , IXFK110N07 , IXFK110N20 , IRFB4115 , IXFK150N10 , IXFK150N15 , IXFK170N10 , IXFK180N07 , IXFK180N085 , IXFK180N10 , IXFK20N80Q , IXFK26N60Q .
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