STQ3NK50ZR-AP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STQ3NK50ZR-AP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.3 Ohm

Encapsulados: TO-92

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STQ3NK50ZR-AP datasheet

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STQ3NK50ZR-AP

STQ3NK50ZR-AP STD3NK50Z - STD3NK50Z-1 N-CHANNEL 500V - 2.8 - 2.3A TO-92/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STQ3NK50ZR-AP 500 V 3.3 0.5 A 3 W STD3NK50Z 500 V 3.3 2.3 A 45 W STD3NK50Z-1 500 V 3.3 2.3 A 45 W 3 TYPICAL RDS(on) = 2.8 1 EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY DPAK TO-92 (Ammopak)

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STQ3NK50ZR-AP

STQ3NK50ZR-AP STD3NK50Z - STD3NK50Z-1 N-CHANNEL 500V - 2.8 - 2.3A TO-92/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STQ3NK50ZR-AP 500 V 3.3 0.5 A 3 W STD3NK50Z 500 V 3.3 2.3 A 45 W STD3NK50Z-1 500 V 3.3 2.3 A 45 W 3 TYPICAL RDS(on) = 2.8 1 EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY DPAK TO-92 (Ammopak)

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STQ3NK50ZR-AP

STQ3NK50ZR-AP STD3NK50Z - STD3NK50Z-1 N-CHANNEL 500V - 2.8 - 2.3A TO-92/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STQ3NK50ZR-AP 500 V 3.3 0.5 A 3 W STD3NK50Z 500 V 3.3 2.3 A 45 W STD3NK50Z-1 500 V 3.3 2.3 A 45 W 3 TYPICAL RDS(on) = 2.8 1 EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY DPAK TO-92 (Ammopak)

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STQ3NK50ZR-AP

STN3N45K3 STQ3N45K3-AP, STU3N45K3 N-channel 450 V, 3.2 , 1.8 A, TO-92, SOT-223, IPAK SuperMESH3 Power MOSFET Preliminary data Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max 3 STN3N45K3 450 V

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