STRH12P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STRH12P10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 18 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-257AA
Búsqueda de reemplazo de STRH12P10 MOSFET
STRH12P10 Datasheet (PDF)
strh12p10.pdf

STRH12P10Rad-Hard 100 V, 12 A P-channel Power MOSFETDatasheet - production dataFeaturesVDSS ID RDS(on) Qg100V 12 A 265 m 40 nC Fast switching 100% avalanche tested Hermetic package321 100 krad TIDTO-257AA SEE radiation hardenedApplications SatelliteFigure 1. Internal schematic diagram High reliabilityD (1)DescriptionThis P-channel
strh100n10.pdf

STRH100N10Rad-Hard 100 V, 48 A N-channel Power MOSFETDatasheet - production dataFeaturesVBDSS ID RDS(on) Qg100 V 48 A 30 m 135 nC Fast switching 100% avalanche tested32 Hermetic package1TO-254AA 70 krad TID SEE radiation hardenedApplications SatelliteFigure 1. Internal schematic diagram High reliabilityD(1)DescriptionThis N-chan
strh100n6.pdf

STRH100N6Rad-Hard N-channel, 60 V, 40 A Power MOSFETDatasheet - production dataFeatures VDSS ID RDS(on) Qg60 V 40 A 12 m 134.4 nC Fast switching 100% avalanche tested32 Hermetic package1 70 krad TIDTO-254AA SEE radiation hardenedApplicationsFigure 1. Internal schematic diagram Satellite High reliabilityDescriptionThis N-channel Powe
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History: MGSF2N02ELT1G
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