STS12NH3LL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STS12NH3LL
   Código: 12H3LL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STS12NH3LL

STS12NH3LL Datasheet (PDF)

..1. Size:335K st
sts12nh3ll.pdf

STS12NH3LLN-channel 30 V - 0.008 - 12 A - SO-8ultra low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTS12NH3LL 30 V

8.1. Size:324K st
sts12nf30l.pdf

STS12NF30LN-channel 30V - 0.008 - 12A SO-8STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTS12NF30L 30V

8.2. Size:526K st
sts12n3llh5.pdf

STS12N3LLH5N-channel 30 V, 0.0068 , 12 A, SO-8 STripFET V Power MOSFETDatasheet production dataFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmax5STS12N3LLH5 30 V

9.1. Size:94K samhop
sts126.pdf

GrerrPPrPrProSTS126aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.Surface Mount Package.100V 1.4A 312 @ VGS=10VDSOT-23GS(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSym

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Liste

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