STS7P4LLF6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STS7P4LLF6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0205 Ohm
Encapsulados: SO-8
Búsqueda de reemplazo de STS7P4LLF6 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
STS7P4LLF6 datasheet
sts7pf30l.pdf
STS7PF30L P-CHANNEL 30V - 0.16 - 7A - SO-8 STripFET II Power MOSFET General features VDSS RDS(on) ID Type STS7PF30L 30V
Otros transistores... STS3P6F6, STS4DNFS30, STS4DPFS30L, STS5DP3LLH6, STS5P3LLH6, STS5PF20V, STS6P3LLH6, STS6PF30L, 13N50, STS8C6H3LL, STS9NH3LL, STS9P2UH7, STSJ100NH3LL, STSJ100NHS3LL, STSJ25NF3LL, STSJ50NH3LL, STSJ60NH3LL
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH | AP3P020H | AP3N9R5YT | AP3N9R5MT
Popular searches
p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583
