STT3PF30L Todos los transistores

 

STT3PF30L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STT3PF30L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.165 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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STT3PF30L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  st
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STT3PF30L

STT3PF30LP-CHANNEL 30V - 0.14 - 3A SOT23-6LSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTT3PF30L 30 V

 8.1. Size:332K  st
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STT3PF30L

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 9.1. Size:543K  st
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STT3PF30L

STT3P2UH7 P-channel 20 V, 0.087 typ., 3 A STripFET H7 Power MOSFET in a SOT23-6L package Datasheet - production data Very low on-resistance Very low capacitance and gate charge High avalanche ruggedness Applications Switching applications Description SOT23-6LThis P-channel Power MOSFET utilizes the STripFET H7 technology with a trench gate structu

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History: APT5010LVR | STB36NM60ND | IPB123N10N3G | FQD30N06TF | BLP023N10-BA | BLP04N10-P | FQPF5N80

 

 
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