STT5PF20V MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STT5PF20V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 179 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: SOT-23

 Búsqueda de reemplazo de STT5PF20V MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STT5PF20V datasheet

 ..1. Size:162K  st
 stt5pf20v.pdf pdf_icon

STT5PF20V

STT5PF20V P-CHANNEL 20V - 0.065 - 5ASOT23-6L 2.5V-DRIVE STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID

Otros transistores... STSJ50NH3LL, STSJ60NH3LL, STT2PF60L, STT3P2UH7, STT3PF30L, STT4P3LLH6, STT4PF20V, STT5N2VH5, BS170, STT6N3LLH6, STT7P2UH7, STU10N60M2, STU10NM65N, STU10P6F6, STU11N65M2, STU11N65M5, STU12N60M2