STT5PF20V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STT5PF20V
Código: STPN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.6 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.45 V
Carga de la puerta (Qg): 4.5 nC
Tiempo de subida (tr): 47 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 179 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.08 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
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STT5PF20V Datasheet (PDF)
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STT5PF20VP-CHANNEL 20V - 0.065 - 5ASOT23-6L2.5V-DRIVE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID
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