STU10NM65N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STU10NM65N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
Paquete / Cubierta: IPAK
Búsqueda de reemplazo de STU10NM65N MOSFET
STU10NM65N Datasheet (PDF)
std10nm65n stf10nm65n stp10nm65n stu10nm65n.pdf
STD10NM65N - STF10NM65NSTP10NM65N - STU10NM65NN-channel 650 V, 0.43 , 9 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2312STD10NM65N 710 V
stu10nm65n.pdf
STD10NM65N - STF10NM65NSTP10NM65N - STU10NM65NN-channel 650 V, 0.43 , 9 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2312STD10NM65N 710 V
std10nm60n stf10nm60n stp10nm60n stu10nm60n.pdf
STD10NM60N, STF10NM60NSTP10NM60N, STU10NM60NN-channel 600 V, 0.53 , 10 A, DPAK, TO-220, TO-220FP, IPAKMDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID Pw@TJmax max.33STD10NM60N 70 W2211STF10NM60N 25 WTO-220 TO-220FP650 V
std10nm60n stf10nm60n stp10nm60n stu10nm60n 2.pdf
STD10NM60N, STF10NM60NSTP10NM60N, STU10NM60NN-channel 600 V, 0.53 , 8 A, DPAK, TO-220, TO-220FP, IPAKMDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID Pw@TJmax max.33STD10NM60N 70 W2211STF10NM60N 25 WTO-220 TO-220FP650 V
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History: 25N10L-TF2-T | IPB65R099C6 | 24NM60L-T47-T
History: 25N10L-TF2-T | IPB65R099C6 | 24NM60L-T47-T
Liste
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