STU13N60M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STU13N60M2
   Código: 13N60M2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 110 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 11 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 17 nC
   Tiempo de subida (tr): 10 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 32 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK

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STU13N60M2 Datasheet (PDF)

..1. Size:1256K st
stp13n60m2 stu13n60m2 stw13n60m2.pdf

STP13N60M2, STU13N60M2, STW13N60M2N-channel 600 V, 0.35 typ., 11 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220, IPAK and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABTABOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID321STP13N60M2321IPAKSTU13N60M2 650 V 0.38 11 ATO-220STW13N60M2 Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous g

7.1. Size:545K st
stp13n65m2 stu13n65m2.pdf

STP13N65M2, STU13N65M2N-channel 650 V, 0.37 typ.,10 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS IDmaxTABSTP13N65M2TAB650 V 0.43 10ASTU13N65M232132 Extremely low gate charge1TO-220 Excellent output capacitance (Coss) profileIPAK 100% avalanche tested Zener-pr

8.1. Size:984K st
stu13nm60n.pdf

STF13NM60N, STI13NM60N, STP13NM60N,STU13NM60N, STW13NM60NN-channel 600 V, 0.28 typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, IPAK, TO-220, IPAK, TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesTABVDSS RDS(on) Order codes ID(@Tjmax) max3322 1STF13NM60N 1IPAKTO-220FPSTI13NM60NSTP13NM60N 650 V

8.2. Size:136K st
stu13nb60.pdf