STU5N60M2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STU5N60M2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: IPAK

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STU5N60M2 datasheet

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STU5N60M2

STD5N60M2, STP5N60M2, STU5N60M2 N-channel 600 V, 1.26 typ., 3.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in DPAK, TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data Features TAB Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID 3 STD5N60M2 1 STP5N60M2 650 V 1.4 3.5 A DPAK STU5N60M2 TAB Extremely low gate charge TAB Lower RDS(on) x area vs previous generation 3 3 Lo

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STU5N60M2

STD5N62K3, STF5N62K3 STP5N62K3, STU5N62K3 Datasheet N-channel 620 V, 1.28 typ., 4.2 A MDmesh K3 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages Features TAB 3 2 VDS RDS(on)max. ID Order code Package 1 DPAK 3 2 STD5N62K3 DPAK 1 TO-220FP STF5N62K3 TO-220FP 620 V 1.6 4.2 A TAB STP5N62K3 TO-220 TAB STU5N62K3 IPAK 3 2 1 3 2 IPAK 100% avalanche test

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STU5N60M2

STB5N62K3, STD5N62K3, STF5N62K3 STP5N62K3, STU5N62K3 N-channel 620 V, 1.28 , 4.2 A SuperMESH3 Power MOSFET D PAK, DPAK,TO-220FP, TO-220 and IPAK Features RDS(on) Order codes VDSS ID Pw max. 3 3 3 2 2 1 STB5N62K3 1 1 70 W STD5N62K3 DPAK TO-220 TO-220FP STF5N62K3 620 V

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STU5N60M2

STD5N95K3, STF5N95K3 STP5N95K3, STU5N95K3 N-channel 950 V, 3 , 4 A, DPAK, TO-220, TO-220FP, IPAK Zener-protected SuperMESH3 Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID Pw STD5N95K3 950 V

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