STU60N3LH5-S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STU60N3LH5-S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: IPAK

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STU60N3LH5-S datasheet

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std60n3lh5 stp60n3lh5 stu60n3lh5 stu60n3lh5-s stu60n3lh5-s.pdf pdf_icon

STU60N3LH5-S

STD60N3LH5, STP60N3LH5 STU60N3LH5, STU60N3LH5-S N-channel 30 V, 0.0072 , 48 A DPAK, IPAK, Short IPAK, TO-220 STripFET V Power MOSFET Features Order codes VDSS RDS(on) max ID 3 STD60N3LH5 30 V 0.008 48 A 2 1 3 STP60N3LH5 30 V 0.0084 48 A 2 1 IPAK TO-220 STU60N3LH5 30 V 0.0084 48 A STU60N3LH5-S 30 V 0.0084 48 A RDS(on) * Qg industry benchmark 3 2 Extr

 4.1. Size:386K  st
std60n3lh5 stp60n3lh5 stu60n3lh5.pdf pdf_icon

STU60N3LH5-S

STD60N3LH5 STP60N3LH5, STU60N3LH5 N-channel 30 V, 0.0072 , 48 A DPAK, IPAK, TO-220 STripFET V Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STD60N3LH5 30 V 0.008 48 A 3 2 STP60N3LH5 30 V 0.0084 48 A 1 STU60N3LH5 30 V 0.0084 48 A TO-220 RDS(on) * Qg industry benchmark 3 Extremely low on-resistance RDS(on) 3 2 1 1 Very low switching gate charge

 8.1. Size:624K  st
stb60n55f3 std60n55f3 stf60n55f3 sti60n55f3 stu60n55f3 stp60n55f3.pdf pdf_icon

STU60N3LH5-S

STB60N55F3, STD60N55F3, STF60N55F3 STI60N55F3, STP60N55F3, STU60N55F3 N-channel 55 V, 6.5 m , 80 A, DPAK, IPAK, D2PAK, I2PAK, TO-220 TO-220FP STripFET III Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID Pw 3 3 2 1 3 1 STB60N55F3 55V

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stu602s std602s.pdf pdf_icon

STU60N3LH5-S

Green Product STU/D602S SamHop Microelectronics Corp. Aug 26,2006 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRODUCT SUMMARY FEATURES Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( m ) Max Rugged and reliable. 30 @ VGS = 10V 22A 60V TO-252 and TO-251 Package. 38@VGS = 4.5V D D D G G S S G STU SERIES STD SERIES TO-252AA(D-PAK) TO-251(l-PAK) S

Otros transistores... STU1HN60K3, STU2LN60K3, STU2N105K5, STU2N80K5, STU2N95K5, STU3N80K5, STU4N80K5, STU5N60M2, STP65NF06, STU6N60M2, STU6N65K3, STU6N65M2, STU6N95K5, STU7N105K5, STU7N60M2, STU7N65M2, STU7N80K5