STU8N80K5 Todos los transistores

 

STU8N80K5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STU8N80K5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 110 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tiempo de subida (tr): 14 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 50 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.95 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK

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STU8N80K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1185K  st
stp8n80k5 stu8n80k5.pdf

STU8N80K5 STU8N80K5

STP8N80K5, STU8N80K5N-channel 800 V, 0.8 typ., 6 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFET in TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS RDS(on)max. ID PTOTSTP8N80K5TAB800 V 0.95 6 A 110 WTABSTU8N80K53 Worldwide best FOM (figure of merit)2132 Ultra low gate charge1IPAKTO-220 100% avalanche tested

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stu8na80.pdf

STU8N80K5 STU8N80K5

STU8NA80N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTU8NA80 800 V

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stu8nc90z.pdf

STU8N80K5 STU8N80K5

STU8NC90ZSTU8NC90ZIN-CHANNEL 900V - 1.1 - 7.6A Max220/I-Max220Zener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTU8NC90Z 900 V

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std8nm50n stf8nm50n stp8nm50n stu8nm50n.pdf

STU8N80K5 STU8N80K5

STD8NM50N, STF8NM50NSTP8NM50N, STU8NM50NN-channel 500 V, 0.73 , 5 A MDmeshII Power MOSFETin DPAK, IPAK, TO-220 and TO-220FPFeaturesOrder codes VDSS@TJMAX RDS(on)max. ID3312STD8NM50N1DPAKSTF8NM50NIPAK550 V

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std8nm60nd stf8nm60nd stp8nm60nd stu8nm60nd.pdf

STU8N80K5 STU8N80K5

STD8NM60ND, STF8NM60NDSTP8NM60ND, STU8NM60NDN-channel 600 V, 0.59 , 7 A, FDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STD8NM60ND 650 V

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stb8n65m5 std8n65m5 stf8n65m5 sti8n65m5 stp8n65m5 stu8n65m5.pdf

STU8N80K5 STU8N80K5

STB8N65M5, STD8N65M5, STF8N65M5STI8N65M5, STP8N65M5, STU8N65M5N-channel 650 V, 0.56 , 7 A MDmesh V Power MOSFETin DPAK, IPAK, TO-220, TO-220FP, DPAK and IPAKFeaturesType VDSS @ TJmax RDS(on) max. ID3STB8N65M5133STD8N65M522DPAK1 1STF8N65M5TO-220710 V

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stb8n65m5 std8n65m5 stf8n65m5 stu8n65m5 stp8n65m5 sti8n65m5.pdf

STU8N80K5 STU8N80K5

STB8N65M5, STD8N65M5, STF8N65M5STI8N65M5, STP8N65M5, STU8N65M5N-channel 650 V, 0.56 , 7 A MDmesh V Power MOSFETin DPAK, IPAK, TO-220, TO-220FP, DPAK and IPAKFeaturesType VDSS @ TJmax RDS(on) max. ID3STB8N65M5133STD8N65M522DPAK1 1STF8N65M5TO-220710 V

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stu8nb90.pdf

STU8N80K5 STU8N80K5

STU8NB90N-CHANNEL 900V - 0.7 - 8.9A - Max220PowerMESH MOSFETADVANCE DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTU8NB90 900 V

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
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