STU8N80K5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STU8N80K5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm

Encapsulados: IPAK

 Búsqueda de reemplazo de STU8N80K5 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STU8N80K5 datasheet

 ..1. Size:1185K  st
 stp8n80k5 stu8n80k5.pdf pdf_icon

STU8N80K5

STP8N80K5, STU8N80K5 N-channel 800 V, 0.8 typ., 6 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFET in TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data Features Order codes VDS RDS(on)max. ID PTOT STP8N80K5 TAB 800 V 0.95 6 A 110 W TAB STU8N80K5 3 Worldwide best FOM (figure of merit) 2 1 3 2 Ultra low gate charge 1 IPAK TO-220 100% avalanche tested

 9.1. Size:71K  st
 stu8na80.pdf pdf_icon

STU8N80K5

STU8NA80 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STU8NA80 800 V

 9.2. Size:413K  st
 stu8nc90z.pdf pdf_icon

STU8N80K5

STU8NC90Z STU8NC90ZI N-CHANNEL 900V - 1.1 - 7.6A Max220/I-Max220 Zener-Protected PowerMESH III MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STU8NC90Z 900 V

 9.3. Size:1402K  st
 std8nm50n stf8nm50n stp8nm50n stu8nm50n.pdf pdf_icon

STU8N80K5

STD8NM50N, STF8NM50N STP8NM50N, STU8NM50N N-channel 500 V, 0.73 , 5 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, IPAK, TO-220 and TO-220FP Features Order codes VDSS@TJMAX RDS(on)max. ID 3 3 1 2 STD8NM50N 1 DPAK STF8NM50N IPAK 550 V

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... STU6N65M2, STU6N95K5, STU7N105K5, STU7N60M2, STU7N65M2, STU7N80K5, STU7NF25, STU80N4F6, EMB04N03H, STU95N4F3, STU9HN65M2, STU9N60M2, STU9N65M2, IRFR420APBF, IRFR420B, IRFR420PBF, IRFR430A