STU9N65M2 Todos los transistores

 

STU9N65M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STU9N65M2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

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STU9N65M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1352K  st
 std9n65m2 stf9n65m2 stp9n65m2 stu9n65m2.pdf pdf_icon

STU9N65M2

STD9N65M2, STF9N65M2, STP9N65M2, STU9N65M2N-channel 650 V, 0.79 typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABRDS(on) Order codes VDS max ID31DPAK STD9N65M2321 STF9N65M2650 V 0.9 5 ASTP9N65M2TO-220FPTAB STU9N65M2TAB Extremely low gate charge32 Excellent output capacit

 8.1. Size:1473K  st
 std9n60m2 stp9n60m2 stu9n60m2.pdf pdf_icon

STU9N65M2

STD9N60M2, STP9N60M2, STU9N60M2N-channel 600 V, 0.72 typ., 5.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in DPAK, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDS @ RDS(on) Order codes ID3TJmax max1DPAK STD9N60M2STP9N60M2 650 V 0.78 5.5 ATABSTU9N60M2TAB Extremely low gate charge3 3 Lower RDS(on) x area vs previous generation2 2

 9.1. Size:71K  st
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STU9N65M2

STU9NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTU9NA60 600 V

 9.2. Size:231K  st
 stu9nb80.pdf pdf_icon

STU9N65M2

STU9NB80N-CHANNEL 800V - 0.85 - 9.3A - TO-247PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTU9NB80 800 V

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History: SFG180N10KF | ME08N20 | NTMFS6H836NLT1G | WNM2046 | FQP2N40

 

 
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