STU9N65M2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STU9N65M2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
Encapsulados: IPAK
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STU9N65M2 datasheet
std9n65m2 stf9n65m2 stp9n65m2 stu9n65m2.pdf
STD9N65M2, STF9N65M2, STP9N65M2, STU9N65M2 N-channel 650 V, 0.79 typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data Features TAB RDS(on) Order codes VDS max ID 3 1 DPAK STD9N65M2 3 2 1 STF9N65M2 650 V 0.9 5 A STP9N65M2 TO-220FP TAB STU9N65M2 TAB Extremely low gate charge 3 2 Excellent output capacit
std9n60m2 stp9n60m2 stu9n60m2.pdf
STD9N60M2, STP9N60M2, STU9N60M2 N-channel 600 V, 0.72 typ., 5.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in DPAK, TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data Features TAB VDS @ RDS(on) Order codes ID 3 TJmax max 1 DPAK STD9N60M2 STP9N60M2 650 V 0.78 5.5 A TAB STU9N60M2 TAB Extremely low gate charge 3 3 Lower RDS(on) x area vs previous generation 2 2
stu9na60.pdf
STU9NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STU9NA60 600 V
stu9nb80.pdf
STU9NB80 N-CHANNEL 800V - 0.85 - 9.3A - TO-247 PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STU9NB80 800 V
Otros transistores... STU7N65M2, STU7N80K5, STU7NF25, STU80N4F6, STU8N80K5, STU95N4F3, STU9HN65M2, STU9N60M2, AO4407A, IRFR420APBF, IRFR420B, IRFR420PBF, IRFR430A, IRFR430APBF, IRFR4510PBF, IRFR4615PBF, IRFR4620PBF
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Liste
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