IRFR9010PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFR9010PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: TO-252

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IRFR9010PBF datasheet

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IRFR9010PBF

IRFR9010, IRFU9010, SiHFR9010, SiHFU9010 www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Surface Mountable (Order as IRFR9010, VDS (V) - 50 SiHFR9010) Straight Lead Option (Order as IRFU9010, RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 SiHFU9010) Qg (Max.) (nC) 9.1 Repetitive Avalanche Ratings Qgs (nC) 3.0 Dynamic dV/dt Rating Simple Drive Requiremen

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IRFR9010PBF

IRFR9010, IRFU9010, SiHFR9010, SiHFU9010 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) - 50 Surface Mountable (Order as IRFR9010, SiHFR9010) RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 Straight Lead Option (Order as IRFU9010, SiHFU9010) Repetitive Avalanche Ratings Qg (Max.) (nC) 9.1 Dynamic dV/dt Rating Q

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IRFR9010PBF

IRFR9010TR www.VBsemi.tw P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested 0.061 at VGS = - 10 V - 30 APPLICATIONS - 60 10 0.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load Switch S TO-252 G G D S Top View D P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise noted Parameter Sy

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