IRFR9014PBF Todos los transistores

 

IRFR9014PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFR9014PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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IRFR9014PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1864K  international rectifier
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IRFR9014PBF

PD- 95383AIRFR9014PbFIRFU9014PbF Lead-Free12/07/04Document Number: 91277 www.vishay.com1IRFR/U9014PbFDocument Number: 91277 www.vishay.com2IRFR/U9014PbFDocument Number: 91277 www.vishay.com3IRFR/U9014PbFDocument Number: 91277 www.vishay.com4IRFR/U9014PbFDocument Number: 91277 www.vishay.com5IRFR/U9014PbFDocument Number: 91277 www.vishay.com6I

 ..2. Size:1117K  vishay
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IRFR9014PBF

IRFR9014, IRFU9014, SiHFR9014, SiHFU9014www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60 Repetitive Avalanche Rated Surface Mount (IRFR9014, SiHFR9014)RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50 Straight Lead (IRFU9014, SiHFU9014)Qg (Max.) (nC) 12 Available in Tape and ReelQgs (nC) 3.8 P-Channel Fast Switch

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IRFR9014PBF

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IRFR9014PBF

IRFR9014, IRFU9014, SiHFR9014, SiHFU9014Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 60 Definition Dynamic dV/dt RatingRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50 Repetitive Avalanche RatedQg (Max.) (nC) 12 Surface Mount (IRFR9014, SiHFR9014)Qgs (nC) 3.8 Straight Lead (IRFU9014, SiHFU9014) Available in Tape

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History: IXTH420N04T2 | STU2N95K5 | IRF7805ZPBF | FQPF5N50CFTU | FQPF5N50CTTU | STU2N80K5 | BF1107

 

 
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