IRFR9110PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFR9110PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 94 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO-252

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IRFR9110PBF datasheet

 ..1. Size:1828K  international rectifier
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IRFR9110PBF

PD - 95324A IRFR9110PbF IRFU9110PbF Lead-Free 12/14/04 Document Number 91279 www.vishay.com 1 IRFR/U9110PbF Document Number 91279 www.vishay.com 2 IRFR/U9110PbF Document Number 91279 www.vishay.com 3 IRFR/U9110PbF Document Number 91279 www.vishay.com 4 IRFR/U9110PbF Document Number 91279 www.vishay.com 5 IRFR/U9110PbF Document Number 91279 www.vishay.com 6

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IRFR9110PBF

IRFR9110, IRFU9110, SiHFR9110, SiHFU9110 www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 100 Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 1.2 Surface Mount (IRFR9110, SiHFR9110) Qg (Max.) (nC) 8.7 Straight Lead (IRFU9110, SiHFU9110) Qgs (nC) 2.2 Available in Tape and Reel Qgd (nC) 4.1 P-Channel

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