IRFR9110PBF Todos los transistores

 

IRFR9110PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFR9110PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 94 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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IRFR9110PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1828K  international rectifier
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IRFR9110PBF

PD - 95324AIRFR9110PbFIRFU9110PbF Lead-Free12/14/04Document Number: 91279 www.vishay.com1IRFR/U9110PbFDocument Number: 91279 www.vishay.com2IRFR/U9110PbFDocument Number: 91279 www.vishay.com3IRFR/U9110PbFDocument Number: 91279 www.vishay.com4IRFR/U9110PbFDocument Number: 91279 www.vishay.com5IRFR/U9110PbFDocument Number: 91279 www.vishay.com6

 ..2. Size:798K  vishay
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IRFR9110PBF

IRFR9110, IRFU9110, SiHFR9110, SiHFU9110www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 100 Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 1.2 Surface Mount (IRFR9110, SiHFR9110)Qg (Max.) (nC) 8.7 Straight Lead (IRFU9110, SiHFU9110)Qgs (nC) 2.2 Available in Tape and ReelQgd (nC) 4.1 P-Channel

 6.1. Size:298K  1
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History: WMR050N03LG4 | NCEP045N85G | NCE30P85K | NCEP090N20D | IPI65R280E6 | WPM2341 | HSM0228

 

 
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