IRFR9210PBF Todos los transistores

 

IRFR9210PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFR9210PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFR9210PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1809K  international rectifier
 irfr9210pbf irfu9210pbf.pdf pdf_icon

IRFR9210PBF

PD - 95027AIRFR9210PbFIRFU9210PbF Lead-Free12/14/04Document Number: 91281 www.vishay.com1IRFR/U9210PbFDocument Number: 91281 www.vishay.com2IRFR/U9210PbFDocument Number: 91281 www.vishay.com3IRFR/U9210PbFDocument Number: 91281 www.vishay.com4IRFR/U9210PbFDocument Number: 91281 www.vishay.com5IRFR/U9210PbFDocument Number: 91281 www.vishay.com6

 ..2. Size:803K  vishay
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IRFR9210PBF

IRFR9210, IRFU9210, SiHFR9210, SiHFU9210www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 200 Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 3.0 Surface Mount (IRFR9210, SiHFR9210)Qg (Max.) (nC) 8.9 Straight Lead (IRFU9210, SiHFU9210)Qgs (nC) 2.1 Available in Tape and ReelQgd (nC) 3.9 P-Channel

 6.1. Size:166K  1
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IRFR9210PBF

 6.2. Size:172K  international rectifier
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IRFR9210PBF

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History: HGN042N10A | TMPF11N50SG | IPW65R280E6 | AP4407GS-HF | 2SK3679-01MR | AM7498N | KF10N60F

 

 
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