IRFR9210PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFR9210PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: TO-252

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IRFR9210PBF datasheet

 ..1. Size:1809K  international rectifier
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IRFR9210PBF

PD - 95027A IRFR9210PbF IRFU9210PbF Lead-Free 12/14/04 Document Number 91281 www.vishay.com 1 IRFR/U9210PbF Document Number 91281 www.vishay.com 2 IRFR/U9210PbF Document Number 91281 www.vishay.com 3 IRFR/U9210PbF Document Number 91281 www.vishay.com 4 IRFR/U9210PbF Document Number 91281 www.vishay.com 5 IRFR/U9210PbF Document Number 91281 www.vishay.com 6

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IRFR9210PBF

IRFR9210, IRFU9210, SiHFR9210, SiHFU9210 www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 200 Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 3.0 Surface Mount (IRFR9210, SiHFR9210) Qg (Max.) (nC) 8.9 Straight Lead (IRFU9210, SiHFU9210) Qgs (nC) 2.1 Available in Tape and Reel Qgd (nC) 3.9 P-Channel

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