IRFR9220PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFR9220PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO-252

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IRFR9220PBF datasheet

 ..1. Size:1102K  international rectifier
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IRFR9220PBF

PD - 95029A IRFR9220PbF IRFU9220PbF Lead-Free 1/10/05 Document Number 91283 www.vishay.com 1 IRFR/U9220PbF Document Number 91283 www.vishay.com 2 IRFR/U9220PbF Document Number 91283 www.vishay.com 3 IRFR/U9220PbF Document Number 91283 www.vishay.com 4 IRFR/U9220PbF Document Number 91283 www.vishay.com 5 IRFR/U9220PbF Document Number 91283 www.vishay.com 6 I

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IRFR9220PBF

IRFR9220, IRFU9220, SiHFR9220, SiHFU9220 www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 200 Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 1.5 Surface Mount (IRFR9220, SiHFR9220) Qg (Max.) (nC) 20 Straight Lead (IRFUFU9220, SiHFU9220) Qgs (nC) 3.3 Available in Tape and Reel Qgd (nC) 11 P-Channel

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