IRFS3107-7PPBF MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRFS3107-7PPBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFS3107-7PPBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 370 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 240 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm

Encapsulados: TO-263CA-7

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IRFS3107-7PPBF datasheet

..1. Size:322K international rectifier
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IRFS3107-7PPbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 75V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 2.1m l Uninterruptible Power Supply max. 2.6m l High Speed Power Switching G l Hard Switched and High Frequency Circuits ID 260A S ID (Package Limited) 240A Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt D Ruggedness l Fully Characterized C

3.1. Size:694K infineon
auirfs3107-7p.pdf pdf_icon

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFS3107-7P HEXFET Power MOSFET Features VDSS 75V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 2.1m Ultra Low On-Resistance max. 2.6m Enhanced dV/dT and dI/dT capability 175 C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 260A Fast Switching ID (Package Limited) 240A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lea

6.1. Size:371K international rectifier
irfs3107pbf irfsl3107pbf.pdf pdf_icon

PD -97144A IRFS3107PbF IRFSL3107PbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 75V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 2.5m l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching max. 3.0m l Hard Switched and High Frequency Circuits G ID (Silicon Limited) 230A c ID (Package Limited) 195A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dyn

6.2. Size:716K infineon
auirfs3107 auirfsl3107.pdf pdf_icon

AUIRFS3107 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFSL3107 HEXFET Power MOSFET Features VDSS 75V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 2.5m Ultra Low On-Resistance max. 3.0m Enhanced dV/dT and dI/dT capability 175 C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 230A Fast Switching ID (Package Limited) 195A Repetitive Avalanche Allowed up t

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