STB11NK50ZT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB11NK50ZT4
Código: B11NK50Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 49 nC
Tiempo de subida (tr): 18 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 173 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.52 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB11NK50ZT4
STB11NK50ZT4 Datasheet (PDF)
stb11nk50zt4.pdf
STB11NK50Z - STP11NK50ZFPSTP11NK50ZN-channel 500 V, 0.48 , 10 A TO-220, TO-220FP, D2PAKZener-protected SuperMESHTM Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PwmaxSTB11NK50Z 500 V
stb11nk50z stp11nk50zfp stp11nk50z.pdf
STB11NK50Z - STP11NK50ZFPSTP11NK50ZN-channel 500 V, 0.48 , 10 A TO-220, TO-220FP, D2PAKZener-protected SuperMESHTM Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PwmaxSTB11NK50Z 500 V
stb11nk40z stp11nk40zfp stp11nk40z.pdf
STB11NK40Z, STP11NK40ZFPSTP11NK40ZN-channel 400 V, 0.49 , 9 A, TO-220, TO-220FP, D2PAKZener-protected SuperMESHTM Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PwSTB11NK40Z 400V
stp11nk40z stp11nk40zfp stb11nk40z.pdf
STP11NK40Z - STP11NK40ZFPSTB11NK40ZN-CHANNEL 400V - 0.49 - 9A TO-220/TO-220FP/D2PAKZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP11NK40Z 400 V
stb11nk40zt4.pdf
STB11NK40Z, STP11NK40ZFPSTP11NK40ZN-channel 400 V, 0.49 , 9 A, TO-220, TO-220FP, D2PAKZener-protected SuperMESHTM Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PwSTB11NK40Z 400V
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