STB11NK50ZT4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB11NK50ZT4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 173 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB11NK50ZT4 datasheet

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STB11NK50ZT4

STB11NK50Z - STP11NK50ZFP STP11NK50Z N-channel 500 V, 0.48 , 10 A TO-220, TO-220FP, D2PAK Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max STB11NK50Z 500 V

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STB11NK50ZT4

STB11NK50Z - STP11NK50ZFP STP11NK50Z N-channel 500 V, 0.48 , 10 A TO-220, TO-220FP, D2PAK Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max STB11NK50Z 500 V

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STB11NK50ZT4

STB11NK40Z, STP11NK40ZFP STP11NK40Z N-channel 400 V, 0.49 , 9 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID Pw STB11NK40Z 400V

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STB11NK50ZT4

STP11NK40Z - STP11NK40ZFP STB11NK40Z N-CHANNEL 400V - 0.49 - 9A TO-220/TO-220FP/D2PAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP11NK40Z 400 V

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