STB11NM60T4 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB11NM60T4 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
Encapsulados: D2PAK
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Búsqueda de reemplazo de STB11NM60T4 MOSFET
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STB11NM60T4 datasheet
stb11nm60t4 stp11nm60.pdf
STB11NM60T4, STP11NM60 Datasheet N-channel 600 V, 0.4 typ., 11 A, MDmesh II Power MOSFETs in D PAK and TO-220 packages Features VDSS TAB RDS(on) max. ID TAB Order codes Package (@ TJmax) STB11NM60T4 D PAK 3 650 V 0.45 11 A 1 3 2 STP11NM60 TO-220 D PAK TO-220 2 1 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance D(2
stb11nm60-1 stb11nm60t4 stp11nm60fp.pdf
STP11NM60 - STP11NM60FP STB11NM60 - STB11NM60-1 N-channel 650V @ TJmax - 0.4 - 11A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@TJ=TJmax) 3 3 2 2 1 1 STP11NM60 650V
stp11nm60a stp11nm60afp stb11nm60a-1.pdf
STP11NM60A STP11NM60AFP - STB11NM60A-1 N-CHANNEL 600V - 0.4 - 11A TO-220/TO-220FP/I2PAK MDmesh Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP11NM60A 600 V
stb11nm60fd-1 stb11nm60fdt4 stp11nm60fdfp.pdf
STB11NM60FD - STB11NM60FD-1 STP11NM60FD - STP11NM60FDFP N-channel 600V - 0.40 - 11A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK FDmesh Power MOSFET (with fast diode) General features Type VDSS RDS(on) ID 3 2 3 STB11NM60FD 600V
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
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