STB13N60M2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB13N60M2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm

Encapsulados: D2PAK

 Búsqueda de reemplazo de STB13N60M2 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STB13N60M2 datasheet

 ..1. Size:1515K  st
stb13n60m2 std13n60m2.pdf pdf_icon

STB13N60M2

STB13N60M2, STD13N60M2 N-channel 600 V, 0.35 typ., 11 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK and DPAK packages Datasheet - production data Features Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID STB13N60M2 TAB 650 V 0.38 11 A STD13N60M2 TAB 3 3 Extremely low gate charge 1 1 Lower RDS(on) x area vs previous generation DPAK D2PAK Low gate input resistance

 8.1. Size:489K  st
stb13nk60zt4 stp13nk60z stp13nk60zfp stw13nk60z.pdf pdf_icon

STB13N60M2

STB13NK60ZT4, STP13NK60Z STP13NK60ZFP, STW13NK60Z N-channel 600 V, 0.48 , 13 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max 3 3 2 STB13NK60ZT4 600 V

 8.2. Size:491K  st
stb13nk60zt4 stw13nk60z stp13nk60zfp.pdf pdf_icon

STB13N60M2

STB13NK60ZT4, STP13NK60Z STP13NK60ZFP, STW13NK60Z N-channel 600 V, 0.48 , 13 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max 3 3 2 STB13NK60ZT4 600 V

 8.3. Size:1154K  st
stb13nm60n std13nm60n.pdf pdf_icon

STB13N60M2

STB13NM60N, STD13NM60N N-channel 600 V, 0.28 typ., 11 A MDmesh II Power MOSFETs in D PAK and DPAK packages Datasheet production data Features Order code VDS (@Tjmax) RDS(on) max ID STB13NM60N TAB 650 V 0.36 11 A TAB STD13NM60N 3 100% avalanche tested 3 1 1 Low input capacitance and gate charge DPAK D PAK Low gate input resistance Applications

Otros transistores... STB12NK80ZT4, STB12NM50-1, STB12NM50FDT4, STB12NM50T4, STB12NM60N, STB12NM60N-1, STB130NS04ZB-1, STB130NS04ZBT4, MMIS60R580P, STB13N80K5, STB13NM50N, STB13NM50N-1, STB140NF55-1, STB140NF55T4, STB140NF75-1, STB140NF75T4, STB141NF55-1