STB150NF55T4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB150NF55T4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1050 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB150NF55T4 datasheet

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STB150NF55T4

STB150NF55 STP150NF55 - STW150NF55 N-channel 55V - 0.005 - 120A - D2PAK/TO-220/TO-247 STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB150NF55 55V

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STB150NF55T4

STB150NF55 STP150NF55 STW150NF55 N-CHANNEL 55V - 0.005 -120A D PAK/TO-220/TO-247 STripFET II POWER MOSFET AUTOMOTIVE SPECIFIC TYPE VDSS RDS(on) ID STB150NF55 55 V

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STB150NF55T4

STB150NF55 STP150NF55 - STW150NF55 N-channel 55V - 0.005 - 120A - D2PAK/TO-220/TO-247 STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB150NF55 55V

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STB150NF55T4

STB150NF04 STP150NF04 N-channel 40 V, 0.005 , 80 A, TO-220, D2PAK STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STB150NF04 40 V

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