STB15NM60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STB15NM60N
   Código: B15NM60N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 37 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.299 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB15NM60N

STB15NM60N Datasheet (PDF)

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STB15NM60N - STF/I15NM60NSTP15NM60N - STW15NM60NN-channel 600V - 0.270 - 14A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247Second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) ID3(@Tjmax)31 21STB15NM60N 650V

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STB15NM60ND - STF/I15NM60NDSTP15NM60ND - STW15NM60NDN-channel 600 V - 0.27 - 14 A - FDmesh II Power MOSFETD2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247Features Type VDSS (@Tjmax)RDS(on) max ID3 3STB15NM60ND 14 A 211STF15NM60ND 14 AD2PAKIPAKSTI15NM60ND 650 V 0.299 14 A(1)321STP15NM60ND 14 ASTW15NM60ND 14 ATO-2471. Limited only by maximum temperature

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isc N-Channel MOSFET Transistor STB15NM60NDDESCRIPTIONDrain Current: I =14A@ T =25D CDrain Source Voltage:: V = 600V(Min)DSS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower switching applicationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage (V =0

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: