STB15NM60N MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STB15NM60N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB15NM60N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.299 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB15NM60N datasheet

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STB15NM60ND - STF/I15NM60ND STP15NM60ND - STW15NM60ND N-channel 600 V - 0.27 - 14 A - FDmesh II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247 Features Type VDSS (@Tjmax)RDS(on) max ID 3 3 STB15NM60ND 14 A 2 1 1 STF15NM60ND 14 A D2PAK I PAK STI15NM60ND 650 V 0.299 14 A(1) 3 2 1 STP15NM60ND 14 A STW15NM60ND 14 A TO-247 1. Limited only by maximum temperature

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