IXFK50N50 Todos los transistores

 

IXFK50N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFK50N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 560 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1280 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: TO264

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IXFK50N50 datasheet

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IXFK50N50

VDSS ID25 RDS(on) trr HiPerFETTM Power MOSFET IXFN 55N50 500V 55A 80m 250ns IXFN 50N50 500V 50A 100m 250ns IXFK 55N50 500V 55A 80m 250ns Single Die MOSFET IXFK 50N50 500V 50A 100m 250ns Preliminary data sheet TO-264 AA (IXFK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings IXFN IXFK IXFK IXFN 55N50 50N50 55N50 50N50 VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C

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IXFK50N50

X-Class HiPerFETTM VDSS = 850V IXFT50N85XHV Power MOSFET ID25 = 50A IXFH50N85X RDS(on) 105m IXFK50N85X TO-268HV (IXFT) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated G Fast Intrinsic Diode S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 850 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 850 V VGSS Co

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IXFK50N50

VDSS = 500 V IXFK 55N50 HiPerFETTM ID25 = 55 A IXFX 55N50 Power MOSFET RDS(on) = 90m IXFN 55N50 250 ns trr Single Die MOSFET Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS247(IXFX) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C 500 V VGSS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V (TAB) G C ID25 TC = 25 C55 A E IDM TC = 2

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IXFK50N50

Advance Technical Information TrenchT2TM GigaMOSTM VDSS = 75V IXFK520N075T2 HiperFETTM ID25 = 520A IXFX520N075T2 Power MOSFET RDS(on) 2.2m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-264 (IXFK) Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 175 C75 V Tab D S VDGR TJ = 25 C to 175 C, RGS = 1M 75 V V

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