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STB200NF03T4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB200NF03T4
   Código: B200NF03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 113 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 195 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1750 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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STB200NF03T4 Datasheet (PDF)

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STP200NF03STB200NF03 - STB200NF03-1N-channel 30V - 0.0032 - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220STripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP200NF03 30V

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STP200NF04STB200NF04 - STB200NF04-1N-CHANNEL 40V - 120 A - 3.3 m TO-220/DPAK/IPAKSTripFETII MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageType VDSS RDS(on) ID PwSTB200NF04 40 V

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STP200NF04LSTB200NF04L - STB200NF04L-1N-CHANNEL 40V - 3 m - 120 A TO-220/DPAK/IPAKSTripFET II MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) IDSTB200NF04L 40 V 3.5 m 120 ASTP200NF04L 40 V 3.8 m 120 ASTB200NF04L-1 40 V 3.8 m 120 A TYPICAL RDS(on) = 3m 33211 100% AVALANCHE TESTEDTO-220DPAK LOW THERESHOLD DRIVEDESCRIPT

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STB200NF03T4

STP200NF04STB200NF04 - STB200NF04-1N-CHANNEL 40V - 120 A - 3.3 m TO-220/DPAK/IPAKSTripFETII MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageType VDSS RDS(on) ID PwSTB200NF04 40 V

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History: NCEP038N10GU | R6530ENZ1

 

 
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