STB20NM50 Todos los transistores

 

STB20NM50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB20NM50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STB20NM50 Datasheet (PDF)

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 stb20nm50-1 stb20nm50 stb20nm50t4 stp20nm50fp.pdf pdf_icon

STB20NM50

STB20NM50 - STB20NM50-1STP20NM50 - STP20NM50FPN-channel 500V - 0.20 - 20A - TO220/FP-D2PAK-I2PAKMDmesh Power MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@TJmax)332STB20NM50 550V

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STB20NM50

STB20NM50 - STB20NM50-1STP20NM50 - STP20NM50FPN-channel 500V - 0.20 - 20A - TO220/FP-D2PAK-I2PAKMDmesh Power MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@TJmax)332STB20NM50 550V

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STB20NM50

STB20NM50FDSTF20NM50FD - STP20NM50FDN-channel 500 V, 0.22 , 20 A D2PAK, TO-220FP, TO-220FDmesh Power MOSFET (with fast diode)FeaturesRDS(on) Type VDSS RDS(on)* Qg IDmaxSTB20NM50FD 500 V

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STB20NM50

STB20NM50FDSTF20NM50FD - STP20NM50FDN-channel 500 V, 0.22 , 20 A D2PAK, TO-220FP, TO-220FDmesh Power MOSFET (with fast diode)FeaturesRDS(on) Type VDSS RDS(on)* Qg IDmaxSTB20NM50FD 500 V

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History: AP85T03GH-HF

 

 
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