STB20NM50FDT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STB20NM50FDT4
   Código: B20NM50FD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 38 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB20NM50FDT4

STB20NM50FDT4 Datasheet (PDF)

..1. Size:396K st
stb20nm50fdt4.pdf

STB20NM50FDSTF20NM50FD - STP20NM50FDN-channel 500 V, 0.22 , 20 A D2PAK, TO-220FP, TO-220FDmesh Power MOSFET (with fast diode)FeaturesRDS(on) Type VDSS RDS(on)* Qg IDmaxSTB20NM50FD 500 V

3.1. Size:401K st
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STB20NM50FDSTF20NM50FD - STP20NM50FDN-channel 500 V, 0.22 , 20 A D2PAK, TO-220FP, TO-220FDmesh Power MOSFET (with fast diode)FeaturesRDS(on) Type VDSS RDS(on)* Qg IDmaxSTB20NM50FD 500 V

3.2. Size:287K st
stb20nm50fd.pdf

STB20NM50FDN-CHANNEL 500V - 0.20 - 20A D2PAKFDmeshPower MOSFET (With FAST DIODE)PRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTB20NM50FD 500V

5.1. Size:313K st
stb20nm50-1 stb20nm50 stb20nm50t4 stp20nm50fp.pdf

STB20NM50 - STB20NM50-1STP20NM50 - STP20NM50FPN-channel 500V - 0.20 - 20A - TO220/FP-D2PAK-I2PAKMDmesh Power MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@TJmax)332STB20NM50 550V

5.2. Size:315K st
stb20nm50 stb20nm50-1 stp20nm50 stp20nm50fp.pdf

STB20NM50 - STB20NM50-1STP20NM50 - STP20NM50FPN-channel 500V - 0.20 - 20A - TO220/FP-D2PAK-I2PAKMDmesh Power MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@TJmax)332STB20NM50 550V

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Liste

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