STB20NM60-1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB20NM60-1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm

Encapsulados: I2PAK

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STB20NM60-1 datasheet

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STB20NM60-1

STB20NM60-1 - STP20NM60FP STB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60 N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAK MDmesh Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID 3 1 STP20NM60 600V

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STB20NM60-1

STB20NM60-1 - STP20NM60FP STB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60 N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAK MDmesh Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID 3 1 STP20NM60 600V

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STB20NM60-1

STB20NM60D N-channel 600V - 0.26 - 20A - D2PAK FDmesh Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID Pw STB20NM60D 600V

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STB20NM60-1

STB20NM60A-1 STP20NM60A - STF20NM60A N-CHANNEL 650V@Tjmax - 0.25 - 20A I PAK/TO-220/TO-220FP MDmesh MOSFET TYPE VDSS @Tjmax RDS(on) ID STB20NM60A-1 650 V

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