STB21NM50N-1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB21NM50N-1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: I2PAK

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STB21NM50N-1 datasheet

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STB21NM50N-1

STP/F21NM50N - STW21NM50N STB21NM50N - STB21NM50N-1 N-channel 500V - 0.15 - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 Second generation MDmesh Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID 3 (@Tjmax) 3 1 3 2 2 1 1 STB21NM50N 550V

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STB21NM50N-1

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STB21NM50N-1

STP21NM60N-F21NM60N-STW21NM60N STB21NM60N-STB21NM60N-1 N-channel 600 V - 0.17 - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 3 3 2 1 2 1 STB21NM60N 650 V

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STB21NM50N-1

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