STB21NM60N-1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB21NM60N-1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm

Encapsulados: I2PAK

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STB21NM60N-1 datasheet

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STB21NM60N-1

STP21NM60N-F21NM60N-STW21NM60N STB21NM60N-STB21NM60N-1 N-channel 600 V - 0.17 - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 3 3 2 1 2 1 STB21NM60N 650 V

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STB21NM60N-1

STP21NM60N-F21NM60N-STW21NM60N STB21NM60N-STB21NM60N-1 N-channel 600 V - 0.17 - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 3 3 2 1 2 1 STB21NM60N 650 V

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STB21NM60N-1

STP/F21NM60ND-STW21NM60ND STB21NM60ND-STI21NM60ND N-channel 600 V, 0.17 , 17 A FDmesh II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 Features VDSS @ RDS(on) Type ID TJmax max 3 3 1 3 2 2 1 STB21NM60ND 650 V

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STB21NM60N-1

STB21NM60ND, STF21NM60ND, STP21NM60ND, STW21NM60ND N-channel 600 V, 0.17 typ., 17 A FDmesh II Power MOSFET in D PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB VDSS @ RDS(on) Order codes ID TJmax max 3 3 1 2 1 STB21NM60ND 650 V 0.22 17 A D2PAK TO-220FP STF21NM60ND 650 V 0.22 17 A STP21NM60ND 650 V 0.22 17 A TAB STW21NM60N

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