IXFK60N25Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFK60N25Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 360 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO264

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFK60N25Q

IXFK60N25Q Datasheet (PDF)

..1. Size:71K ixys
ixfh60n25q ixfk60n25q ixft60n25q.pdf

Advanced Technical InformationIXFH 60N25QHiPerFETTMVDSS = 250 VIXFK 60N25QPower MOSFETs ID25 = 60 AIXFT 60N25QQ-Class RDS(on) = 47 mWtrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrLow Gate Charge and CapacitancesSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 250

9.1. Size:169K ixys
ixfk64n60p ixfx64n60p.pdf

IXFK 64N60PVDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETIXFX 64N60PID25 = 64 APower MOSFET RDS(on) 96 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXFK)VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 VVGSS Contin

9.2. Size:225K ixys
ixfk64n50p ixfx64n50p.pdf

IXFK 64N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFX 64N50P ID25 = 64 APower MOSFET RDS(on) 85 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXFK)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGSS Continuo

Otros transistores... IXFK36N60 , IXFK44N50 , IXFK44N60 , IXFK48N50 , IXFK48N50Q , IXFK50N50 , IXFK52N30Q , IXFK55N50 , CS150N03A8 , IXFK72N20 , IXFK73N30 , IXFK80N20 , IXFK80N20Q , IXFK90N20 , IXFK90N20Q , IXFK90N30 , IXFM10N100 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: