STB25N80K5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB25N80K5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
Encapsulados: D2PAK
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STB25N80K5 datasheet
stb25n80k5 stf25n80k5 stp25n80k5 stw25n80k5.pdf
STB25N80K5, STF25N80K5, STP25N80K5, STW25N80K5 N-channel 800 V, 0.19 typ., 19.5 A MDmesh K5 Power MOSFETs in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB VDS @ RDS(on) Order code ID PTOT TJmax max 3 3 1 2 STB25N80K5 250 W 1 D2PAK TO-220FP STF25N80K5 40 W TAB 800 V
stb25nm60n-1 stb25nm60n stf25nm60n stp25nm60n stw25nm60n.pdf
STB25NM60Nx - STF25NM60N STP25NM60N - STW25NM60N N-channel 600 V, 0.130 , 21 A, MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 3 2 2 1 1 STB25NM60N 650 V
stb25nm50n-1 stf25nm50n stw25nm50n.pdf
STx25NM50N N-channel 500 V, 0.11 , 22 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 2 3 1 2 1 STB25NM50N 550 V
stb25nm50n stf25nm50n stp25nm50n stw25nm50n.pdf
STx25NM50N N-channel 500 V, 0.11 , 22 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 2 3 1 2 1 STB25NM50N 550 V
Otros transistores... STB21NM50N-1, STB21NM60N, STB21NM60N-1, STB22NS25ZT4, STB23NM60N, STB24N60DM2, STB24N60M2, STB24N65M2, IRF530, STB25NM50N-1, STB25NM60N, STB25NM60N-1, STB26NM60ND, STB27NM60ND, STB28N60M2, STB28N65M2, STB28NM60ND
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Liste
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