STB33N60M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB33N60M2
Código: 33N60M2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 190 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 26 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 45.5 nC
Tiempo de subida (tr): 9.6 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 85 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.125 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB33N60M2
STB33N60M2 Datasheet (PDF)
stb33n60m2.pdf
STB33N60M2N-channel 600 V, 0.108 typ., 26 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in a D2PAK packageDatasheet - production dataFeaturesVDS @ RDS(on) TABOrder code IDTJmax maxSTB33N60M2 650 V 0.125 26 A3 Extremely low gate charge1 Lower RDS(on) x area vs previous generationD 2PAK MDmesh II technology Low gate input resistance 100% avalan
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STB33N65M2, STF33N65M2,STP33N65M2, STI33N65M2N-channel 650 V, 0.117 typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABTABRDS(on) Order codes VDS max IDSTB33N65M233121STF33N65M2TO-220FPD2PAK650 V 0.14 24 ASTP33N65M2TAB TABSTI33N65M2 Extremely low gate charge Exce
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History: WMM18N70EM