STB3NK60ZT4 Todos los transistores

 

STB3NK60ZT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB3NK60ZT4
   Código: B3NK60Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 43 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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STB3NK60ZT4 Datasheet (PDF)

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STB3NK60ZT4

STB3NK60ZT4, STD3NK60Z-1, STD3NK60ZT4STP3NK60Z, STP3NK60ZFPDatasheetN-channel 600 V, 3.2 typ., 2.4 A SuperMESH Power MOSFETs in DPAK, IPAK, DPAK, TO-220 and TO-220FP packagesFeaturesTABTAB3VDS RDS(on) max. IDOrder codes Package2311D2PAKIPAKTABSTB3NK60ZT4D2PAK2 3TAB1STD3NK60Z-1 IPAKDPAK600 V 3.6 2.4 ASTD3NK60ZT4 DPAK3STP3NK60Z TO

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STB3NK60ZT4

STP3NK60Z - STP3NK60ZFPSTB3NK60Z-STD3NK60Z-STD3NK60Z-1N-CHANNEL 600V - 3.3 - 2.4A TO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAKZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP3NK60Z 600 V

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STB3NK60ZT4

STP3NK60Z - STP3NK60ZFPSTB3NK60Z-STD3NK60Z-STD3NK60Z-1N-CHANNEL 600V - 3.3 - 2.4A TO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAKZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP3NK60Z 600 V

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STB3NK60ZT4

STP3NK60Z - STP3NK60ZFPSTB3NK60Z-STD3NK60Z-STD3NK60Z-1N-CHANNEL 600V - 3.3 - 2.4A TO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAKZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP3NK60Z 600 V

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History: SWD6N80DE

 

 
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