STB45N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STB45N65M5
   Código: 45N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 82 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 82 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.078 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB45N65M5

STB45N65M5 Datasheet (PDF)

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STB45N65M5, STF45N65M5, STP45N65M5N-channel 650 V, 0.067 typ., 35 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP and TO-220 packagesDatasheet - production dataFeaturesTAB2 Order codes VDSS @ TJmax RDS(on) max ID31STB45N65M532D2PAK1STF45N65M5 710 V 0.078 35 ATO-220FPSTP45N65M5TAB Worldwide best RDS(on) * area Higher VDSS rating and high dv/dt capa

..2. Size:1336K st
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STB45N65M5, STF45N65M5, STP45N65M5 STW45N65M5N-channel 650 V, 0.067 typ., 35 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet production dataFeatures TAB2VDSS @ RDS(on) 3Order code ID1TJmax max32D2PAK1STB45N65M5TO-220FPTABSTF45N65M5710 V

..3. Size:356K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor STB45N65M5FEATURESDrain Current : I = 35A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 78m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.

8.1. Size:356K st
stb45nf06t4 stb45nf06 stp45nf06.pdf

STB45NF06STP45NF06N-channel 60 V, 0.023 , 38 A TO-220, D2PAKSTripFETTM II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTP45NF06 60 V

8.2. Size:112K st
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STB45NF06N-CHANNEL 60V - 0.022 - 38A D2PAKSTripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTB45NF06 60V

8.3. Size:355K st
stp45nf3ll stb45nf3ll.pdf

STP45NF3LL - STP45NF3LLFPSTB45NF3LLN-channel 30V - 0.014 - 45A TO-220 - TO-220FP - D2PAKSTripFET II power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID33STB45NF3LL 30V

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STB45N30M5DatasheetN-channel 300 V, 53 A, 0.037 typ., MDmesh M5 Power MOSFET in a D2PAK packageFeaturesTABVDS RDS(on) max. IDOrder codeSTB45N30M5 300 V 0.040 53 A23 Extremely low RDS(on)1 Low gate charge and input capacitance Excellent switching performanceDPAK 100% avalanche testedD(2, TAB)Applications Switching applicationsG(1

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: