STB5NK50Z-1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB5NK50Z-1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: I2PAK

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STB5NK50Z-1 datasheet

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STB5NK50Z-1

STB5NK50Z/-1 - STD5NK50Z/-1 STP5NK50Z - STP5NK50ZFP N-CHANNEL 500V - 1.22 - 4.4A TO-220/FP-D/IPAK-D2/I2PAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STB5NK50Z 500 V

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STB5NK50Z-1

STB5NK50Z/-1 - STD5NK50Z/-1 STP5NK50Z - STP5NK50ZFP N-CHANNEL 500V - 1.22 - 4.4A TO-220/FP-D/IPAK-D2/I2PAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STB5NK50Z 500 V

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STB5NK50Z-1

STB5NK50Z-1 - STP5NK50ZFP STP5NK50Z - STD5NK50Z - STD5NK50Z-1 N-CHANNEL500V-1.22 -4.4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP5NK50Z 500 V

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STB5NK50Z-1

STD5NK52ZD, STB5NK52ZD-1 STF5NK52ZD,STP5NK52ZD N-channel 520 V,1.22 ,4.4 A,TO-220,IPAK,I2PAK,DPAK,TO-220FP Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max 3 2 IPAK 3 STB5NK52ZD-1 520 V

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