STB5NK50ZT4 Todos los transistores

 

STB5NK50ZT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB5NK50ZT4
   Código: B5NK50Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STB5NK50ZT4 Datasheet (PDF)

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STB5NK50ZT4

STB5NK50Z/-1 - STD5NK50Z/-1STP5NK50Z - STP5NK50ZFPN-CHANNEL 500V - 1.22 - 4.4A TO-220/FP-D/IPAK-D2/I2PAKZener-Protected SuperMESHMOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTB5NK50Z 500 V

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STB5NK50ZT4

STB5NK50Z-1 - STP5NK50ZFPSTP5NK50Z - STD5NK50Z - STD5NK50Z-1N-CHANNEL500V-1.22-4.4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/I2PAKZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP5NK50Z 500 V

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STB5NK50Z/-1 - STD5NK50Z/-1STP5NK50Z - STP5NK50ZFPN-CHANNEL 500V - 1.22 - 4.4A TO-220/FP-D/IPAK-D2/I2PAKZener-Protected SuperMESHMOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTB5NK50Z 500 V

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STB5NK50ZT4

STD5NK52ZD, STB5NK52ZD-1STF5NK52ZD,STP5NK52ZDN-channel 520 V,1.22 ,4.4 A,TO-220,IPAK,I2PAK,DPAK,TO-220FPZener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID Pwmax32IPAK3STB5NK52ZD-1 520 V

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