STB60NF10T4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB60NF10T4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm

Encapsulados: D2PAK

 Búsqueda de reemplazo de STB60NF10T4 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STB60NF10T4 datasheet

 ..1. Size:359K  st
 stb60nf10-1 stb60nf10t4.pdf pdf_icon

STB60NF10T4

STB60NF10 STB60NF10-1 - STP60NF10 N-channel 100V - 0.019 - 80A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFET II Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) 3 3 1 2 STB60NF10 100V

 5.1. Size:364K  st
 stb60nf10 stb60nf10-1 stp60nf10.pdf pdf_icon

STB60NF10T4

STB60NF10 STB60NF10-1 - STP60NF10 N-channel 100V - 0.019 - 80A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFET II Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) 3 3 1 2 STB60NF10 100V

 7.1. Size:425K  st
 stb60nf06.pdf pdf_icon

STB60NF10T4

STB60NF06 N-CHANNEL 60V - 0.014 - 60A D2PAK STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB60NF06 60V

 7.2. Size:514K  st
 stb60nf06lt4 stb60nf06l stp60nf06l stp60nf06lfp stp60nf06lfp.pdf pdf_icon

STB60NF10T4

STB60NF06L STP60NF06L - STP60NF06LFP N-channel 60V - 0.012 - 60A - TO-220/D2PAK/TO-220FP STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB60NF06L 60V

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... STB5NK50Z-1, STB5NK50ZT4, STB5NK52ZD-1, STB60NE06L-16T4, STB60NF06-1, STB60NF06LT4, STB60NF06T4, STB60NF10-1, IRFP064N, STB60NH02LT4, STB6N60M2, STB6N62K3, STB6N65M2, STB6N80K5, STB6NK60ZT4, STB6NK90ZT4, STB6NM60N