STB70NF03LT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB70NF03LT4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 18 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 165 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 560 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de STB70NF03LT4 MOSFET
STB70NF03LT4 Datasheet (PDF)
stb70nf03lt4.pdf
STB70NF03LSTP70NF03L - STB70NF03L-1N-channel 30V - 0.0075 - 70A - D2PAK - I2PAK - TO-220Low gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB70NF03L 30V
stb70nf03l stp70nf03l stb70nf03l-1.pdf
STB70NF03LSTP70NF03L - STB70NF03L-1N-channel 30V - 0.0075 - 70A - D2PAK - I2PAK - TO-220Low gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB70NF03L 30V
stb70nfs03lt4.pdf
STB70NFS03LN-channel - 30V - 0.0075 - 70A D2PAKSTripFET Power MOSFET plus schottky rectifierGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB70NFS03L 30V
stb70nfs03l.pdf
STB70NFS03LN-channel - 30V - 0.0075 - 70A D2PAKSTripFET Power MOSFET plus schottky rectifierGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB70NFS03L 30V
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History: CED6601 | DMP3085LSD | FSS9130R | DH400P06D | 2N6758JAN | RJK0216DPA | 2N6756JANTX
History: CED6601 | DMP3085LSD | FSS9130R | DH400P06D | 2N6758JAN | RJK0216DPA | 2N6756JANTX
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
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