STB70NFS03LT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STB70NFS03LT4
   Código: B70NFS03L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 18 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 22.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 165 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 560 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB70NFS03LT4

STB70NFS03LT4 Datasheet (PDF)

..1. Size:293K st
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STB70NFS03LN-channel - 30V - 0.0075 - 70A D2PAKSTripFET Power MOSFET plus schottky rectifierGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB70NFS03L 30V

3.1. Size:292K st
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STB70NFS03LN-channel - 30V - 0.0075 - 70A D2PAKSTripFET Power MOSFET plus schottky rectifierGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB70NFS03L 30V

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STB70NF03LSTP70NF03L - STB70NF03L-1N-channel 30V - 0.0075 - 70A - D2PAK - I2PAK - TO-220Low gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB70NF03L 30V

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STB70NF3LLN-channel 30V - 0.0075 - 70A - D2PAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB70NF3LL 30V

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STB70NF03LSTP70NF03L - STB70NF03L-1N-channel 30V - 0.0075 - 70A - D2PAK - I2PAK - TO-220Low gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB70NF03L 30V

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