STB70NH03LT4 Todos los transistores

 

STB70NH03LT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB70NH03LT4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 858 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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STB70NH03LT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:482K  st
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STB70NH03LT4

STB70NH03LN-channel 60V - 0.0075 - 70A - D2PAKSTripFET III Power MOSFET for DC-DC conversionGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB70NH03L 30V

 4.1. Size:486K  st
 stb70nh03l.pdf pdf_icon

STB70NH03LT4

STB70NH03LN-channel 60V - 0.0075 - 70A - D2PAKSTripFET III Power MOSFET for DC-DC conversionGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB70NH03L 30V

 8.1. Size:293K  st
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STB70NH03LT4

STB70NFS03LN-channel - 30V - 0.0075 - 70A D2PAKSTripFET Power MOSFET plus schottky rectifierGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB70NFS03L 30V

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 stb70nf03l stp70nf03l stb70nf03l-1.pdf pdf_icon

STB70NH03LT4

STB70NF03LSTP70NF03L - STB70NF03L-1N-channel 30V - 0.0075 - 70A - D2PAK - I2PAK - TO-220Low gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB70NF03L 30V

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History: SVG104R5NS6TR

 

 
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