STB70NH03LT4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB70NH03LT4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 858 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB70NH03LT4 datasheet

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STB70NH03LT4

STB70NH03L N-channel 60V - 0.0075 - 70A - D2PAK STripFET III Power MOSFET for DC-DC conversion General features Type VDSS RDS(on) ID STB70NH03L 30V

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STB70NH03LT4

STB70NH03L N-channel 60V - 0.0075 - 70A - D2PAK STripFET III Power MOSFET for DC-DC conversion General features Type VDSS RDS(on) ID STB70NH03L 30V

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STB70NH03LT4

STB70NFS03L N-channel - 30V - 0.0075 - 70A D2PAK STripFET Power MOSFET plus schottky rectifier General features Type VDSS RDS(on) ID STB70NFS03L 30V

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STB70NH03LT4

STB70NF03L STP70NF03L - STB70NF03L-1 N-channel 30V - 0.0075 - 70A - D2PAK - I2PAK - TO-220 Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB70NF03L 30V

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