STB75NF75LT4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB75NF75LT4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 155 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 660 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB75NF75LT4 datasheet

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STB75NF75LT4

STB75NF75L N-channel 75V - 0.009 - 75A - D2PAK STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STB75NF75L 75V

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STB75NF75LT4

STB75NF75L N-channel 75V - 0.009 - 75A - D2PAK STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STB75NF75L 75V

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STB75NF75LT4

STB75NF75 STP75NF75 - STP75NF75FP N-channel 75V - 0.0095 - 80A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB75NF75 75V

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STB75NF75LT4

STB75NF75 STP75NF75 STP75NF75FP N-CHANNEL 75V - 0.0095 - 80A TO-220/TO-220FP/D PAK STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB75NF75 75 V

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