STB80NF06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB80NF06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO-220

 Búsqueda de reemplazo de STB80NF06 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STB80NF06 datasheet

 ..1. Size:301K  st
stb80nf06.pdf pdf_icon

STB80NF06

STP80NF06 - STB80NF06 STW80NF06 N-channel 60V - 0.0065 - 80A TO-220/D2PAK/TO-247 STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STB80NF06 60V

 ..2. Size:308K  st
stp80nf06 stb80nf06 stw80nf06.pdf pdf_icon

STB80NF06

STP80NF06 - STB80NF06 STW80NF06 N-channel 60V - 0.0065 - 80A TO-220/D2PAK/TO-247 STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STB80NF06 60V

 6.1. Size:321K  st
stb80nf03l-04t4.pdf pdf_icon

STB80NF06

STB80NF03L-04T4 N-channel 30 V, 0.0035 , 80 A D2PAK STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STB80NF03L-04T4 30 V

 6.2. Size:242K  st
stb80nf03l-04-1.pdf pdf_icon

STB80NF06

STB80NF03L-04 N-channel 30 V, 0.0035 , 80 A, I2PAK STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STB80NF03L-04 30V

Otros transistores... STB75NF75LT4, STB75NF75T4, STB75NH02LT4, STB76NF80, STB7ANM60N, STB7NK80ZT4, STB80NE03L-06T4, STB80NF03L-04-1, AON6414A, STB80NF10T4, STB80NF55-06-1, STB80NF55-06T, STB80NF55-06T4, STB80NF55-08-1, STB80NF55L-08, STB80PF55T4, STB85NF3LLT4