STB80NF55-06T Todos los transistores

 

STB80NF55-06T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB80NF55-06T
   Código: B80NF55-06T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 142 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 155 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1020 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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STB80NF55-06T Datasheet (PDF)

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STB80NF55-06T

STB80NF55-06TN-channel 55 V, 5 m, 80 A STripFET II Power MOSFETin a DPAK packageFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max. IDSTB80NF55-06T 55 V

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STB80NF55-06T

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STB80NF55-06T

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STB80NF55-06T

STB80NF55-06STP80NF55-06 STP80NF55-06FPN-CHANNEL 55V - 0.005 - 80A TO-220/TO-220FP/D2PAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB80NF55-06 55 V

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History: RD3L08CGN | RD3G500GN | FDN304PZ | IRFB4310ZGPBF | SSA50R100S | R9521 | IRLU4343PBF

 

 
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