STB80NF55-06T Todos los transistores

 

STB80NF55-06T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB80NF55-06T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 155 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1020 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STB80NF55-06T Datasheet (PDF)

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STB80NF55-06T

STB80NF55-06TN-channel 55 V, 5 m, 80 A STripFET II Power MOSFETin a DPAK packageFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max. IDSTB80NF55-06T 55 V

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STB80NF55-06T

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1STP80NF55-06 - STP80NF55-06FPN-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB80NF55-06 55V

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STB80NF55-06T

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STB80NF55-06T

STB80NF55-06STP80NF55-06 STP80NF55-06FPN-CHANNEL 55V - 0.005 - 80A TO-220/TO-220FP/D2PAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB80NF55-06 55 V

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History: PJW4N06A | DMN2170U | IXTK20N150 | G20N06J | IRF2204S | 2N7002F | HY5204W

 

 
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