STB80NF55-06T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STB80NF55-06T
   Código: B80NF55-06T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 142 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 155 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1020 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB80NF55-06T

STB80NF55-06T Datasheet (PDF)

..1. Size:680K st
stb80nf55-06t.pdf

STB80NF55-06TN-channel 55 V, 5 m, 80 A STripFET II Power MOSFETin a DPAK packageFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max. IDSTB80NF55-06T 55 V

0.1. Size:437K st
stb80nf55-06-1 stb80nf55-06t4 stp80nf55-06fp.pdf

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1STP80NF55-06 - STP80NF55-06FPN-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB80NF55-06 55V

2.1. Size:447K st
stb80nf55-06 stb80nf55-06-1 stp80nf55-06 stp80nf55-06fp.pdf

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1STP80NF55-06 - STP80NF55-06FPN-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB80NF55-06 55V

2.2. Size:482K st
stb80nf55-06.pdf