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STB85NF3LLT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB85NF3LLT4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 635 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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STB85NF3LLT4 Datasheet (PDF)

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STB85NF3LLT4

STB85NF3LLN-channel 30V - 0.006 - 85A - D2PAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB85NF3LL 30V

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STB85NF3LLT4

STB85NF3LLN-channel 30V - 0.006 - 85A - D2PAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB85NF3LL 30V

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STB85NF3LLT4

STP85NF3LLSTB85NF3LL-1N-CHANNEL 30V - 0.006 - 85A TO-220/I2PAKLOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP85NF3LL 30 V

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 stb85nf55 sti85nf55 stp85nf55.pdf pdf_icon

STB85NF3LLT4

STB85NF55, STI85NF55STP85NF55N-channel 55 V, 0.0062 , 80 A, TO-220, D2PAK, I2PAKSTripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTB85NF55 55 V

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History: NCE80T320D | CSFR7N60U | NCE70T900 | IXTH67N10 | IXTH64N65X

 

 
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