STB95N4F3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB95N4F3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de STB95N4F3 MOSFET
STB95N4F3 Datasheet (PDF)
stb95n4f3.pdf
STB95N4F3, STD95N4F3STP95N4F3N-channel 40 V, 5.0 m, 80 A STripFET IIIPower MOSFET in DPAK, DPAK, TO-220FeaturesRDS(on) Order codes VDSS max. ID PwTABTABSTB95N4F3
stb95n4lf3 std95n4lf3.pdf
STB95N4LF3STD95N4LF3N-channel 40 V, 5.0 m, 80 A DPAK, D2PAKSTripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PDmaxSTD95N4LF3 40 V
stb95nf03.pdf
STB95NF03N-CHANNEL 30V - 0.0065 - 95A DPAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB95NF03 30 V
stb95n3llh6 std95n3llh6 stp95n3llh6 stu95n3llh6.pdf
STB95N3LLH6, STD95N3LLH6STP95N3LLH6, STU95N3LLH6N-channel 30 V, 0.0037 , 80 A, D2PAK, DPAK, IPAK, TO-220STripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max ID313STB95N3LLH6 30 V 0.0042 80 A 2DPAK1STD95N3LLH6 30 V 0.0042 80 ASTP95N3LLH6 30 V 0.0042 80 A IPAKSTU95N3LLH6 30 V 0.0047 80 A RDS(on) * Qg industry benchmark3
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History: STB8NM60N | AOWF450A70
History: STB8NM60N | AOWF450A70
Liste
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