STB95N4F3 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STB95N4F3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB95N4F3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB95N4F3 datasheet

..1. Size:833K st
stb95n4f3.pdf pdf_icon

STB95N4F3, STD95N4F3 STP95N4F3 N-channel 40 V, 5.0 m , 80 A STripFET III Power MOSFET in D PAK, DPAK, TO-220 Features RDS(on) Order codes VDSS max. ID Pw TAB TAB STB95N4F3

7.1. Size:1108K st
stb95n4lf3 std95n4lf3.pdf pdf_icon

STB95N4LF3 STD95N4LF3 N-channel 40 V, 5.0 m , 80 A DPAK, D2PAK STripFET III Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID PD max STD95N4LF3 40 V

8.1. Size:587K st
stb95nf03.pdf pdf_icon

STB95NF03 N-CHANNEL 30V - 0.0065 - 95A D PAK STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB95NF03 30 V

8.2. Size:933K st
stb95n3llh6 std95n3llh6 stp95n3llh6 stu95n3llh6.pdf pdf_icon

STB95N3LLH6, STD95N3LLH6 STP95N3LLH6, STU95N3LLH6 N-channel 30 V, 0.0037 , 80 A, D2PAK, DPAK, IPAK, TO-220 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID 3 1 3 STB95N3LLH6 30 V 0.0042 80 A 2 DPAK 1 STD95N3LLH6 30 V 0.0042 80 A STP95N3LLH6 30 V 0.0042 80 A IPAK STU95N3LLH6 30 V 0.0047 80 A RDS(on) * Qg industry benchmark 3

Otros transistores... STB80PF55T4, STB85NF3LLT4, STB85NF55L, STB85NF55LT4, STB85NF55T4, STB85NS04Z, STB8NM60N, STB8NM60T4, IRLB4132, STB9NK50Z-1, STB9NK50ZT4, STB9NK60Z-1, STB9NK60ZDT4, STB9NK60ZT4, STB9NK70ZT4, STB9NK80Z, IRFS4410PBF

History: STB85NS04Z

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