STB9NK50ZT4 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STB9NK50ZT4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB9NK50ZT4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB9NK50ZT4 datasheet

..1. Size:364K st
stb9nk50zt4 stp9nk50zfp.pdf pdf_icon

STP9NK50Z - STP9NK50ZFP STB9NK50Z - STB9NK50Z-1 N-CHANNEL 500V - 0.72 - 7.2A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP9NK50Z 500 V

5.1. Size:399K st
stb9nk50z-1.pdf pdf_icon

STP9NK50Z - STP9NK50ZFP STB9NK50Z - STB9NK50Z-1 N-CHANNEL 500V - 0.72 - 7.2A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP9NK50Z 500 V

5.2. Size:364K st
stp9nk50z stp9nk50zfp stb9nk50z stb9nk50z-1.pdf pdf_icon

STP9NK50Z - STP9NK50ZFP STB9NK50Z - STB9NK50Z-1 N-CHANNEL 500V - 0.72 - 7.2A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP9NK50Z 500 V

8.1. Size:991K st
stb9nk90z stf9nk90z stp9nk90z stw9nk90z.pdf pdf_icon

STB9NK90Z, STF9NK90Z STP9NK90Z, STW9NK90Z N-channel 900 V, 1.1 , 8 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max. 3 3 1 STB9NK90Z 160 W 2 1 D PAK TO-220 STW9NK90Z 160 W 900V